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【技術/半導体】米IBMが新型半導体、フラッシュの代替に

1 :プリオンφ ★:2006/12/12(火) 10:51:22 ID:???
米IBMなど3社は11日、デジタル情報を記憶する新型の半導体を試作したと発表した。
デジタルカメラなどの記憶媒体として広く普及したフラッシュメモリーと比べ、
書き込み・読み出し速度が500倍、消費電力が半分になるという。

フラッシュの用途は主に家電製品に限られたが、IBMは新型半導体が実用化すれば
業務用の高性能コンピューターにも用途が広がると期待している。

ソース
日経:http://it.nikkei.co.jp/pc/news/index.aspx?n=AS2M1200T%2012122006
米IBM:http://www.ibm.com/news/us/en/2006/12/2006_12_11.html

Dr. T. C. Chen
http://domino.watson.ibm.com/comm/pr.nsf/pages/bio.chen.html

2 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 10:51:50 ID:meA3mkP/
詳細まだー?

3 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 11:00:55 ID:IMKNOiN7
東芝オワッタ?

4 :プリオンφ ★:2006/12/12(火) 11:02:32 ID:???
関連URLを3つ上げておきます。すみません。

http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory
http://www.jiten.com/dicmi/docs/p/25010s.htm
http://jstore.jst.go.jp/EN/detail.cgi?from_top=1&foreign_id=1240


5 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 11:18:33 ID:0oNPbkh5
いまどきのフラッシュメモリは20M/sくらい軽いから、500倍ってーとデジカメよりメインメモリに欲しいな

6 :REI KAI TSUSHIN:2006/12/12(火) 11:33:19 ID:eyPvexWB
>新型半導体が実用化すれば業務用の高性能コンピューターにも用途が広がると期待している。


フラッシュメモリーに【常駐】する【Virus】に【注意】する必要があるね。

7 :オレオレ!オレだよ、名無しだよ!!:2006/12/12(火) 11:43:58 ID:MO7tqMp0
これとどちらが優れているの?

【半導体】シャープ、次世代不揮発メモリー「RRAM」の基礎技術を開発…産業技術総合研究所と共同で [06/12/12]

http://news18.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1165876240/


8 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 11:44:05 ID:E23j1ho7
さすが国際業務用機器

9 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 11:58:01 ID:fgmM/Usr
500倍とな?

10 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 12:05:00 ID:2HM9OoZi
三星ダメじゃん

11 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 12:30:24 ID:NbwjfuzY
>>8 それなんて売春婦?

12 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 12:37:01 ID:HIacvWn1
えーと、5倍で100M/s、50倍で1G/s・・・
500倍で10G/s・・・!!!!

ドライブはどのバスに接続すりゃいいですか?

13 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 12:45:29 ID:b5F66v8x
寿命はどれくらいなんだろ

14 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 13:50:51 ID:TZc6nBQB
>>12
脳内。

15 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 13:59:13 ID:9mPdrDeE
cross-section is only 3 by 20 nanometers
phase-change memory
キーワードはこれくらいだな

全然分からん
位相を使っているので、アナログ記録ぽいのと、
従来どおり配線の交点に記録する感じ

誘電体かなんかかな

16 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 14:21:19 ID:TZc6nBQB
>500倍
アクセス速度と帯域速度を区別できない香具師には多分理解できねーよw
パイプラインのバッファつけて並列化すれば帯域速度を上げるのは
可能で素子として速度比較することには意味はないだろ。

素子としては「アクセスタイム」で比較すべきで同じDRAMで40−80ns
SRAMで5−15ns程度。
フラッシュメモリの書き込み時間は5−15ms程度、読み出しについて
はRAM程度まで高速なものがあるようです。
数値は少し誤差があるだろうが、ちょっとまえまではそんなもんだった。

17 :REI KAI TSUSHIN:2006/12/12(火) 14:42:12 ID:eyPvexWB
読み・書き速度 = シーク・タイムと言いますm(__)m

18 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 14:48:01 ID:ppnEdUtn
この事業部は、レノボの売却してないんだな。
レノボは、カスを高値でかったのかな。


19 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 15:21:02 ID:TZc6nBQB
>>17
ネタでも信じるやつがでるぞw

20 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 15:37:03 ID:EzNxkfVu
>>16
書き込むデータを安定させるための時間もあるぞ。

21 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 16:03:41 ID:CK9rk8FC
もしかしてエルビータ買えってこと?

22 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 16:24:02 ID:CfQNZG78
【技術/半導体】米IBMが新型半導体、ブッシュの代替に

   そりゃ〜賢明な判断が出来そうだ・・・と、思った。 orz

23 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 16:26:30 ID:0ijCdvgx
おお、これはすげえ
しかもデジタルを記憶かよ

24 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 17:48:37 ID:ibn6B4ej
早くHDDは消えうせろ!

25 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 18:24:35 ID:w2UiEZSw

>>24のHDDの内容が今日中にαβοοη..._〆(゚▽゚*)

26 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 18:32:06 ID:dGWqyrl3
一方でほんっとHDD全然進化しないよな

27 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 18:37:04 ID:meA3mkP/
つ【垂直磁気記録】

めっちゃかわってますがな。
長年の夢が実現したんだよ?

28 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 19:34:50 ID:sQRkaOKo
何より寿命が気になるな…
書き換えがフラッシュと同程度しか出来ないなら結局フラッシュ代替にしかならんだろうな。
1000倍オーダーで出来てるとうれしい。

29 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 19:42:57 ID:5NSPJel2
>>28
書き換え寿命までフラッシュを上回ってるならプレスリリースで誇らしげに書くはず。
おそらく寿命ではフラッシュに及ばないのではないかと。

30 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 20:15:37 ID:QJGnY1dv
>>26>>27
進化はしてるが、半導体のスピードに追いたてられて焦りまくりw
歩留まり上がんねーで収益悪いしwww

31 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 20:29:08 ID:ic5o7k21
っで、肝心の記録密度はどうなのかね?

32 :名無しのひみつ :2006/12/12(火) 20:47:15 ID:SfC79PKh
日経夕刊だったか?
寿命は理論上無限とあったぞ。

33 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 21:09:08 ID:aKbn5v04
消去に一秒近く掛かっているのが500倍速いという話だろう、
2msで消去して書き込める=64MByte/sぐらいの速度がでる、
というわけでいまのフラッシュより十分に速い。

34 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 21:30:42 ID:L8cwIVUo
これってMRAM?
だとすると、電源切ってもメモリ内容消えないよね

って、内容見たらchip-making capabilities targeted for 2015とかなってるような…

35 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 21:47:44 ID:77U+/2I4
容量単価が問題
高かったら意味ねー

36 :名無しのひみつ:2006/12/12(火) 23:36:50 ID:TZc6nBQB
>>32
よく考えてみろ、無限ならいまのCPUも無限速で動きそうなもの。w

37 : ◆Jamaica.2k :2006/12/12(火) 23:44:50 ID:ap7W4aor
こちらはIBM/Macronix/Qimonda組ですか。
日立/ルネサス組もPRAMに関するリリースを出してますね。
http://www.eetimes.jp/contents/200612/13475_1_20061211183916.cfm
http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/month/2006/12/1211d.html

38 :名無しのひみつ:2006/12/13(水) 00:13:01 ID:01nteUJ3
>>1
PRAMか。サムスンがかなり金かけて開発してたなあ。

39 :名無しのひみつ:2006/12/13(水) 00:25:02 ID:waguLD9/
DRAMの代わりになんの?
誰かエロイ人教えて。

40 :名無しのひみつ:2006/12/13(水) 21:19:25 ID:ceqOx/fS
ん? これって相変化メモリでしょ?
半導体と言っちゃって良いのか?

41 :名無しのひみつ:2006/12/20(水) 10:35:58 ID:eYHhMxcq
バブルメモリー?

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